onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=236 A, 8针, TDFN, NTMTS系列
- RS 库存编号:
- 214-8905P
- 制造商零件编号:
- NTMTSC002N10MCTXG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-8905P
- 制造商零件编号:
- NTMTSC002N10MCTXG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 236A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TDFN | |
| 系列 | NTMTS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 89nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 3.9W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 8.4mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 8.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 236A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TDFN | ||
系列 NTMTS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 89nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 3.9W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 8.4mm | ||
高度 1.02mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 8.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
on ON Semiconductor nt多边 形 mosfet 是 n 沟道 mosfet 、其漏极到电源电压为 100 伏它通常用于同步整流和直流 - 直流转换。
无铅
符合 RoHS