Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 18 A, DirectFET, 表面安装, 7引脚, AUIRF7675M2TR, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 214-8950
- 制造商零件编号:
- AUIRF7675M2TR
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 1190 | RMB14.217 | RMB142.17 |
| 1200 - 2390 | RMB13.793 | RMB137.93 |
| 2400 + | RMB13.518 | RMB135.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-8950
- 制造商零件编号:
- AUIRF7675M2TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 56mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 21nC | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.74mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 56mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.35mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.74mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 将最新的汽车 hex场 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced 平台结合起来，为汽车 d 类音频放大器应用提供同类最佳的产品。该封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术等中使用的现有布局几何结构兼容。该封装允许双面冷却、以最大程度地提高汽车电源系统中的热传递。这些功能相结合、使此 mosfet 成为汽车 d 类音频放大器系统中非常理想的元件。
先进的工艺技术
175°C 工作温度