Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 105 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
214-8958
制造商零件编号:
AUIRFS4115-7TRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

105A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

11.8mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

380W

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

73nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

4.83mm

长度

10.54mm

宽度

9.65 mm

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon ex场 功率式功率高的功率,利用最新的处理技术,每个硅面积实现极低的接通电阻。此设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能相结合、使此设计成为极其高效和可靠的设备、适用于汽车应用和各种其他应用。

先进的工艺技术

超低接通电阻

汽车认证