Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 112 A, DirectFET, 表面安装, 9引脚, AUIRL7736M2TR, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 214-8965
- 制造商零件编号:
- AUIRL7736M2TR
- 制造商:
- Infineon
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- 214-8965
- 制造商零件编号:
- AUIRL7736M2TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 112A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.74mm | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 宽度 | 5.05 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 112A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 DirectFET | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.74mm | ||
长度 6.35mm | ||
宽度 5.05 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 将最新的汽车 hex场 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced 封装平台结合，在采用 so-8 或 5X6mm p自 进封装及仅 0.7mm 外形的封装中，可提供卓越的性能。该封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术等中使用的现有布局几何结构兼容。该封装允许双面冷却、以最大程度地提高汽车电源系统中的热传递。
先进的工艺技术
逻辑水平
高功率密度