Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 50 A, MG-WDSON, 表面安装, 7引脚, BSB104N08NP3GXUSA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 214-8967
- 制造商零件编号:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-8967
- 制造商零件编号:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | MG-WDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.7mm | |
| 长度 | 5.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 MG-WDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 10.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.7mm | ||
长度 5.05mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 系列是发电（如太阳能微型逆变器）、电源（如服务器和电信）和功耗（如电动车）高效解决方案的市场领导者。这些晶体管包含一系列节能 mosfet 晶体管、采用高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。
低寄生电感
优化技术，用于直流/直流转换器
双面冷却