Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=275 A, 8针, TDSON, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-8970P
制造商零件编号:
BSC010N04LSIATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

275A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.05mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

139W

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

87nC

正向电压 Vf

0.7V

最高工作温度

+175°C

宽度

6.1mm

标准/认证

No

长度

5.35mm

高度

1.2mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOS系列MOSFET,40V漏源电压,275A连续漏电流 - BSC010N04LSIATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流开关组件,专为严苛的电源应用而设计。它可在非常宽的环境温度范围内工作,专为紧凑型组件中的表面贴装 PCB 实现而设计。该设备采用增强模式 N 通道,并支持适合稳健开关控制的栅极驱动电压。

特性和优点：


• 低导电电阻可实现高效的高电流开关
• 高连续漏电流可实现大负载驱动
• 40V 漏源额定值允许中等电压系统使用
• 139W 耗散支持高功率处理
• 87 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关能量
• 20 V 栅极源容差为栅极驱动器提供空间

应用


• 适用于高电流直流电机驱动器
• 用于电池系统的配电
• 适用于转换器的同步整流
• 可用于服务器和电信电源级
• 与需要坚固开关的变频器模块配合使用

它在运行过程中可承受哪些极端温度？


它的额定连续使用温度范围为-55°C至+175°C。

它采用哪种封装和安装方式进行PCB组装？


它采用 TDSON 封装,适用于表面安装。

多少电气连接可用于布局和布线?


该设备采用 8 针配置,用于电源和栅极连接。

设计人员在切换过程中应期望有哪些栅极驱动行为?


设计人员应在计算驱动损耗和开关时间时,预期典型栅极电荷为 87 nC。

在放置组件时,应允许的物理尺寸是多少?


该封装长度为 5.35mm,宽度为 6.1mm,高度为 1.2mm。

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