制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=25 V, Id=40 A, 8针, TISON-8, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 214-8977
制造商零件编号:: BSC0910NDIATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=25 V, Id=40 A, 8针, TISON-8, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 214-8977
制造商零件编号:: BSC0910NDIATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	25V
	包装类型	TISON-8
	系列	OptiMOS
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	5.9mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	0.87V
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	10V
	最大功耗 Pd	2.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	23nC
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	双
	宽度	6mm
	标准/认证	RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
	高度	1.1mm
	长度	5mm
	每片芯片元件数目	2
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 25V
	包装类型 TISON-8
	系列 OptiMOS
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 0.87V
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 10V
	最大功耗 Pd 2.5W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置双
	宽度 6mm
	标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1
	高度 1.1mm
	长度 5mm
	每片芯片元件数目 2
	汽车标准否

Datasheet - BSC0910NDIATMA1

Infineon 系列产品采用高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全的灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。双 n 沟道最佳 mos 功率为 IEC61249 2-21 、无铅引线电镀、无卤素; 符合 RoHS 标准。

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Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=25 V, Id=40 A, 8针, TISON-8, OptiMOS系列

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