Infineon , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 40 A, TISON-8, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列, BSC0910NDIATMA1
- RS 库存编号:
- 214-8977
- 制造商零件编号:
- BSC0910NDIATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
¥90.64
(不含税)
¥102.42
(含税)
有库存
- 4,960 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 1240 | RMB9.064 | RMB90.64 |
| 1250 - 2490 | RMB8.792 | RMB87.92 |
| 2500 + | RMB8.528 | RMB85.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-8977
- 制造商零件编号:
- BSC0910NDIATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | TISON-8 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 正向电压 Vf | 0.87V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | |
| 宽度 | 6 mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 TISON-8 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
正向电压 Vf 0.87V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, JEDEC1 | ||
宽度 6 mm | ||
长度 5mm | ||
高度 1.1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 系列产品采用高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全的灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。双 n 沟道最佳 mos 功率为 IEC61249 2-21 、无铅引线电镀、无卤素; 符合 RoHS 标准。
单片集成肖特基二极管
专为高性能降压转换器而优化
通过 100% 雪崩测试