Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 126 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 214-8986P
- 制造商零件编号:
- BSZ025N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-8986P
- 制造商零件编号:
- BSZ025N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 126A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 37nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 69W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 126A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 TSDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 37nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 69W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.2mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.1 mm | ||
长度 5.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 40V 和 60V 系列产品不仅具有业界最低的 r ds （ on ），而且还具有完美的切换行为，适用于快速切换应用。通过 Advanced 晶圆它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。
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