Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 39.6 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS P3系列
- RS 库存编号:
- 214-8990P
- 制造商零件编号:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 214-8990P
- 制造商零件编号:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 39.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | OptiMOS P3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 18mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 最大功耗 Pd | 40W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 39.6A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 OptiMOS P3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 18mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
最大功耗 Pd 40W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.35 mm | ||
长度 5.49mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 系列单 p 通道功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式功率式特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括直流 - 直流、电动机控制、电池管理和负载切换。
它具有 150 °c 的工作温度
符合用于目标应用的符合 dec 标准