Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列

RS 库存编号:: 214-8993
制造商零件编号:: IPA60R060P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=48 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:: 214-8993
制造商零件编号:: IPA60R060P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	48A
	最大漏源电压 Vd	600V
	包装类型	TO-220
	系列	CoolMOS P7
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	60mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	29W
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	0.9V
	最高工作温度	+150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 48A
	最大漏源电压 Vd 600V
	包装类型 TO-220
	系列 CoolMOS P7
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 60mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 29W
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 0.9V
	最高工作温度 +150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPA60R060P7XKSA1

Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET,600V 漏源电压,48A 连续漏电流 - IPA60R060P7XKSA1

这款 MOSFET 是一款高压 N 通道晶体管,专为通孔组件中的开关和功率转换而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于严苛环境,并采用增强通道模式配置,以控制电源电路中的电流流量。

特性和优点：

• 600V漏源额定值支持高压开关应用
• 48A 连续漏电流支持大量负载处理
• 60 mΩ RDS(on),可在正常条件下最大限度减少传导损耗
• 29W 功耗可实现持久热负载
• 0.9V正向电压可减少传导过程中的电压下降
• 30 V 栅极-源极限可适应常见的栅极驱动电压

应用

• 适用于高压电源和转换器
• 适用于工业电机驱动开关级应用
• 用于通孔电源组件中的散热片
• 可用于高压 LED 驱动器电路
• 适用于实验室和测试台电源电子设备

它使用哪种安装方式?

它采用TO-220封装,专为通孔安装而设计。

应预期哪种极性和操作模式?

它是一款以增强模式运行的 N 通道设备,用于栅极控制传导。

它能承受哪些极端温度?

额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C。

不得超过的最大栅极电压是多少?

栅极-源电压不得超过 30 V。

这款组件是否符合汽车标准要求?

它不被指定为汽车标准组件。