Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=12.5 A, 3针, TO-220, CoolMOS P7系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 30 件 (按管提供)*

RMB162.27

(不含税)

RMB183.36

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 2,625 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
30 +RMB5.409

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
214-9007P
制造商零件编号:
IPA70R360P7SXKSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12.5A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS P7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

26.5W

最低工作温度

-40°C

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

+150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon CoolMOS P7系列MOSFET,700V最大漏源电压,12.5A最大连续漏电流 - IPA70R360P7SXKSA1


这款 MOSFET 是一款高电压 N 沟道增强型晶体管,专为工业环境和电源转换环境中的电源开关而设计。它可在宽环境温度范围内工作,并采用通孔 TO-220 封装,便于在分立电源组件中直接安装板和散热。

特性和优点:


• 700V漏极容量,适用于高压开关应用
• 12.5A 连续电流支持大负载电流
• 360mΩ Rds可在额定条件下最大限度减少传导损耗
• 26.5W 功耗,支持持续的热负载
• 0.9V 正向电压可减少导电电压降
• 30V 栅极容差允许常见栅极驱动电压

应用


• 适用于高压电源中的SMPS初级侧开关
• 适用于需要 700V 设备的工业电源转换器
• 用于高压组件中的分立开关级
• 可用于通孔原型设计和维修
• 适用于宽温度范围内运行的系统

允许的栅极驱动大小是多少?


该设备可在栅极和源之间接受高达 30V 的电压,作为其最大栅极限制。

该封装如何帮助热管理?


TO-220通孔规格允许直接连接到散热器上,并易于安装,以提高散热效果。

它在运行过程中可耐受哪些极端温度?


它的额定工作温度范围为-40°C至+150°C。

哪些传导特性会影响开启状态下的功耗?


360mΩ 的导通电阻直接影响传输电流时的传导损耗。

哪些参数指示连续负载能力?


12.5A 的连续漏电流额定值定义了其稳定状态电流处理。

相关链接