Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, IPB024N10N5ATMA1, OptiMOS 5系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-9009
制造商零件编号:
IPB024N10N5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

180A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS 5

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

2.4mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

Infineon 100V 功率 mosfet 特别适用于电信模块的同步整流、包括 or-ing 、热插拔和电池保护、以及服务器电源应用。与类似设备相比、该设备的 rds (接通)更低、达 22% 、是业内领先的 fom 的最大贡献之一、它具有低通态电阻、可提供最高水平的功率密度和效率。

通过 100% 雪崩测试

符合用于目标应用的符合 dec 标准