Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列

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RS 库存编号:
214-9013
制造商零件编号:
IPB120N08S404ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

OptiMOS-T2

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

4.1mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon 系列的产品 T2 是现有的一款可扩展至现有的系列的: timos -t 和 timos 。这些优斯产品提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。Infineon 产品旨在满足甚至超越计算应用中更清晰的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。这些是坚固的封装、具有卓越的质量和可靠性。

产品符合 aec Q101 标准

100% 雪崩测试

它具有 175°c 工作温度