Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 45 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB45N06S4L08ATMA3, OptiMOS-T2系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 10 件)*

¥79.73

(不含税)

¥90.09

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 2,980 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每包*
10 - 240RMB7.973RMB79.73
250 - 490RMB7.735RMB77.35
500 +RMB7.502RMB75.02

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
214-9020
制造商零件编号:
IPB45N06S4L08ATMA3
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

45A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-263

系列

OptiMOS-T2

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

7.9mΩ

通道模式

增强

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 系列的产品 T2 是现有的一款可扩展至现有的系列的: timos -t 和 timos 。这些优斯产品提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。Infineon 产品旨在满足甚至超越计算应用中更清晰的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。这些是坚固的封装、具有卓越的质量和可靠性。

产品符合 aec Q101 标准

100% 雪崩测试

它具有 175°c 工作温度