Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=19 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
214-9033P
制造商零件编号:
IPD15N06S2L64ATMA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

64mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

11nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

47W

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

长度

6.5mm

高度

2.3mm

标准/认证

No

宽度

6.22mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS系列MOSFET,55V漏源电压,19A连续漏电流 - IPD15N06S2L64ATMA2


这款 MOSFET 是一款专为高要求汽车和工业环境设计的功率开关晶体管,可在宽温度范围内在 N 通道增强模式下提供受控电流传导。它适用于需要高效开关和高温条件下耐用性的表面贴装 PCB 设计。

特性和优点：


• 55 V 最大漏源电压,适用于严苛的电压边缘
• 19 A 连续漏电流,确保高电流开关性能
• 64 mΩ 最大 Rds(on),可降低传导损耗
• 47 W 最大功耗,可实现稳健的热处理
• 11 nC 典型栅极电荷,可实现快速切换转换
• 20 V 最大栅极源额定值,用于灵活的栅极驱动级别

应用


• 适用于汽车配电模块
• 适用于直流-直流转换器开关级
• 与车辆的电机驱动电路配套使用
• 可用于控制装置中的高速负载切换
• 适用于紧凑型板上的表面贴装电源管理

其能在什么温度范围内运行？


它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可适应低温启动和高温发动机槽条件。

该封装如何支持PCB组装?


该组件采用 TO‐252 表面贴装封装,尺寸为 6.5 x 6.22 mm,适用于自动化焊接工艺。

通道配置和操作模式是什么?


它使用 N 型通道,并在增强模式下工作,需要正向栅极源电压进行传导。

设计人员应期望有哪些正向传导特性?


在传导过程中,预期正向电压为 1.3 V,从而影响电压降和热量计算。

栅极驱动大小是否有限制?


栅极源电压不得超过 20 V,以防止栅极区域过度压力。

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