Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 50 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD50N12S3L15ATMA1, OptiMOS-T系列
- RS 库存编号:
- 214-9038
- 制造商零件编号:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9038
- 制造商零件编号:
- IPD50N12S3L15ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 120V | |
| 系列 | OptiMOS-T | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 120V | ||
系列 OptiMOS-T | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.5mm | ||
高度 2.3mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon ® 产品采用高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全的灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。这些是坚固的封装、具有卓越的质量和可靠性。
它符合汽车 aec Q101 标准
100% 雪崩测试
它具有 175°c 工作温度