Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 9 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚, CoolMOS™ CE系列
- RS 库存编号:
- 214-9041
- 制造商零件编号:
- IPD50R650CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
¥114.975
(不含税)
¥129.925
(含税)
库存信息目前无法查询
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | RMB4.599 | RMB114.98 |
| 625 - 1225 | RMB4.462 | RMB111.55 |
| 1250 + | RMB4.328 | RMB108.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9041
- 制造商零件编号:
- IPD50R650CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 9 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 系列 | CoolMOS™ CE | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.65 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 9 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
系列 CoolMOS™ CE | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.65 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos ce 是一款性价比优化的平台、能够通过仍然符合最高效率标准、针对消费和照明市场中的成本敏感型应用。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优点、同时不会降低使用便利性、并提供市场上提供的最佳性价比。
易于使用 / 驱动
非常高的换向坚固性
适用于标准等级应用
非常高的换向坚固性
适用于标准等级应用