Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 2.4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, CoolMOS C6系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-9043P
制造商零件编号:
IPD60R2K0C6ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

2.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-252

系列

CoolMOS C6

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.7nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

22.3W

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

宽度

6.22 mm

长度

6.73mm

标准/认证

No

高度

2.41mm

汽车标准

the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线( sj )原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos C6 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。

易于使用 / 驱动

完全符合工业应用领域的符合 dec 标准