Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 7.2 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD65R1K0CEAUMA1, CoolMOS CE系列
- RS 库存编号:
- 214-9045
- 制造商零件编号:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9045
- 制造商零件编号:
- IPD65R1K0CEAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 7.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | CoolMOS CE | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 7.2A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 CoolMOS CE | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15.3nC | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos ce 是一款性价比优化的平台、能够通过仍然符合最高效率标准、针对消费和照明市场中的成本敏感型应用。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优点、同时不会降低使用便利性、并提供市场上提供的最佳性价比。
易于使用 / 驱动
非常高的换向坚固性
适用于标准等级应用