Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 4 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P7系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-9047P
制造商零件编号:
IPD70R1K4P7SAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-252

系列

CoolMOS P7

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.4Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.7nC

最大栅源电压 Vgs

16 V

最大功耗 Pd

22.7W

正向电压 Vf

0.9V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

长度

6.73mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线( sj )原理设计、由 Infineon 技术开创。最新 coolmos P7 是一款优化平台、专为消费市场中的成本敏感型应用而定制、如充电器、适配器、照明、电视等。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优势、 结合出色的性价比和最先进的易用性。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。

它具有出色的热行为

集成 esd 保护二极管