Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=700 V, Id=4 A, 3针, TO-252, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-9047P
- 制造商零件编号:
- IPD70R1K4P7SAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPD70R1K4P7SAUMA1
- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 22.7W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 22.7W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.41mm | ||
长度 6.73mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolMOS P7 系列 MOSFET,700V 最大漏源电压,4A 最大连续漏电流 - IPD70R1K4P7SAUMA1
这款 MOSFET 是一款专为功率转换和驱动应用设计的高压开关设备。它可在宽温度范围内工作,并提供N通道增强模式开关功能,适用于要求严苛的电气系统中的表面安装组件。
特性和优点：
• 700V 漏电额定值支持高压开关应用
• 4 A 连续漏电流支持中等负载电流
• 1.4 Ω 低 RDS(on) 可减少负载下的传导损耗
• 22.7W 功耗可实现持久的热处理
• 4.7 nC 典型栅极电荷,可实现高效开关控制
• 16V 栅极额定值允许大量栅极驱动空间
• 4 A 连续漏电流支持中等负载电流
• 1.4 Ω 低 RDS(on) 可减少负载下的传导损耗
• 22.7W 功耗可实现持久的热处理
• 4.7 nC 典型栅极电荷,可实现高效开关控制
• 16V 栅极额定值允许大量栅极驱动空间
应用
• 适用于SMPS初级开关级
• 适用于电机驱动半桥开关
• 与高压工业电源配合使用
• 可用于开关模式功率调节
• 适用于表面贴装式电源组件
• 适用于电机驱动半桥开关
• 与高压工业电源配合使用
• 可用于开关模式功率调节
• 适用于表面贴装式电源组件
可接受的工作温度范围是多少?
其工作温度范围为-40°C至150°C。
它采用哪种封装方式和安装方式?
它采用 TO-252 封装,适用于表面安装。
提供多少引脚用于 PCB 连接?
提供三个用于标准 MOSFET 连接的电气引脚。
导电时的典型正向电压是多少?
在指定条件下,正向电压为 0.9 V。
哪些通道特性会影响设备的行为?
它是一款N通道增强模式设备,具有指定的栅极和漏极限。