Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 90 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, OptiMOS-T2系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-9055P
制造商零件编号:
IPD90N04S403ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

90A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

OptiMOS-T2

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

正向电压 Vf

1.3V

最大功耗 Pd

94W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

6.5mm

高度

2.3mm

宽度

6.22 mm

汽车标准

AEC-Q101

the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

它符合汽车 aec Q101 标准

100% 雪崩测试

它具有 175°c 工作温度