Infineon , 2 N型沟道 双 N 沟道逻辑电平增强模式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 20 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS-T2系列, IPG20N06S4L11AATMA1
- RS 库存编号:
- 214-9062P
- 制造商零件编号:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- 制造商:
- Infineon
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | |
| 高度 | 1mm | |
| 标准/认证 | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| 长度 | 5.15mm | |
| 宽度 | 5.9 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 双 N 沟道逻辑电平增强模式 | ||
高度 1mm | ||
标准/认证 RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
长度 5.15mm | ||
宽度 5.9 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。双 n 通道逻辑电平 - 增强模式可用于自动光学检验（ oi ）。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品旨在满足甚至超出能效和功率密度要求。
产品符合 aec Q101 标准
100% 雪崩测试
它具有 175°c 工作温度