Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 120 A, TO-262, 表面安装, 3引脚, IPI120N08S403AKSA1, IPI系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-9064
制造商零件编号:
IPI120N08S403AKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

IPI

包装类型

TO-262

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.5mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

128nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

278W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

高度

23.45mm

长度

10.2mm

标准/认证

No

宽度

4.4 mm

汽车标准

AEC-Q101