Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 80 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚, OptiMOS™ -T2系列
- RS 库存编号:
- 214-9067
- 制造商零件编号:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥657.65
(不含税)
¥743.15
(含税)
有库存
- 另外 250 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB13.153 | RMB657.65 |
| 100 - 150 | RMB12.724 | RMB636.20 |
| 200 + | RMB12.294 | RMB614.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9067
- 制造商零件编号:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 系列 | OptiMOS™ -T2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.0067 o | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
系列 OptiMOS™ -T2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.0067 o | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
产品符合 aec Q101 标准
它具有 175°c 工作温度
100% 雪崩测试
它具有 175°c 工作温度
100% 雪崩测试