Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 80 A, TO-262, 通孔安装, 3引脚, IPI80N06S4L07AKSA2, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 214-9068P
- 制造商零件编号:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- 制造商:
- Infineon
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- 214-9068P
- 制造商零件编号:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-262 | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 23.45mm | |
| 宽度 | 4.4 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-262 | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 6.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.2mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 23.45mm | ||
宽度 4.4 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列节能 mosfet 晶体管、减少了 CO2 、并配有电动驱动器。新的最佳 mos T2 产品系列扩展了现有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。提供高性能封装、可应对最具有挑战性的应用、在有限空间内提供完全灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
产品符合 aec Q101 标准
它具有 175°c 工作温度
100% 雪崩测试