Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, VSON, 表面安装, 5引脚, CoolMOS C7系列

可享批量折扣

小计 750 件 (以卷装提供)*

¥24,345.00

(不含税)

¥27,510.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 1,965 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
750 - 1495RMB32.46
1500 +RMB31.486

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
214-9070P
制造商零件编号:
IPL60R104C7AUMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

VSON

系列

CoolMOS C7

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

104mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.9V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

42nC

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

122W

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

宽度

8.1 mm

长度

8.1mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon coolmos C7 是一项革命性技术、适用于高电压功率功率的高功率功率功率、设计符合超接线( sj )原理、并由 Infineon 技术开创。600V coolmos C7 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。它们适用于硬切换和软切换功能。由于封装更小、它随附了更高的功率密度解决方案。它包含优化的印刷电路板组件和布局解决方案。

适用于硬切换和软切换

smd 封装、寄生电感极低、便于设备使用 控制