Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 22.4 A, VSON, 表面安装, 5引脚, CoolMOS P6系列
- RS 库存编号:
- 214-9074P
- 制造商零件编号:
- IPL60R180P6AUMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 750 件 (以卷装提供)*
¥11,104.50
(不含税)
¥12,548.25
(含税)
有库存
- 2,950 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 750 - 1495 | RMB14.806 |
| 1500 + | RMB14.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9074P
- 制造商零件编号:
- IPL60R180P6AUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | CoolMOS P6 | |
| 包装类型 | VSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大功耗 Pd | 176W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 8.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 22.4A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 CoolMOS P6 | ||
包装类型 VSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 5 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大功耗 Pd 176W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
高度 1.1mm | ||
长度 8.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 8.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos P6 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。提供的器件具有快速切换 sj mosfet 的所有优点、同时不会降低易用性。极低的切换和传导损耗使切换应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。
mosfet dv/dt 稳定增加
易于使用 / 驱动