Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 19.2 A, VSON, 表面安装, 5引脚, CoolMOS P6系列

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RS 库存编号:
214-9075
制造商零件编号:
IPL60R210P6AUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

19.2A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

VSON

系列

CoolMOS P6

安装类型

表面

引脚数目

5

最大漏源电阻 Rd

210mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

151W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

标准/认证

No

宽度

8.1 mm

高度

1.1mm

长度

8.1mm

汽车标准

600V CoolMOSaP6 电源晶体管


Infineons CoolMOSTM P6 超接合 MOSFET 系列设计用于实现更高的系统效率,同时易于设计。CoolMOSTM P6 缩小了专注于提供终极性能的技术和专注于易于使用的技术之间的差距。

功能摘要


  • 降低门充电 (Q g)

  • 更高的 V th

  • 良好的主体二极管坚固性

  • 优化集成 R g

  • 从 50V/ns 提高了 dv/dt

  • CoolMOSTM 质量,具有超接合技术超过 12 年的制造经验

  • 福利


  • 提高效率,特别是在轻负载条件下

  • 由于更早关闭,在软开关应用中效率更高

  • 适用于硬式和软式开关拓扑

  • 优化了效率和易于使用的平衡,以及切换行为的良好可控性

  • 高坚固性和更好的效率

  • 出色的质量和可靠性

  • 潜在应用


  • PFC 阶段,用于服务器、电信整流器、PC 银盒、游戏控制台

  • PWM 阶段 (TTF, LLC),用于服务器、电信整流器、PC 银盒、游戏控制台