Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP60R180C7XKSA1, CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 214-9095P
- 制造商零件编号:
- IPP60R180C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 15 件 (按管提供)*
¥274.44
(不含税)
¥310.11
(含税)
有库存
- 370 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 15 - 20 | RMB18.296 |
| 25 + | RMB17.748 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9095P
- 制造商零件编号:
- IPP60R180C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS C7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS C7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.36mm | ||
高度 9.45mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon coolmos 系列是一项革命性的高电压功率功率功率式功率半导体技术、它根据超接点（ sj ）原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos C7 系列将领先的 sj mosfet 供应商的经验与高级创新相结合。它们适用于硬切换和软切换。适用于服务器、电信和太阳能等应用。
符合 dec 标准、适用于工业级应用
适用于硬切换和软切换