Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=120 V, 70 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS-T系列

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RS 库存编号:
214-9096
制造商零件编号:
IPP70N12S311AKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

70A

最大漏源电压 Vd

120V

包装类型

TO-220

系列

OptiMOS-T

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

11.6mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

125W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

51nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

宽度

4.57 mm

标准/认证

No

长度

10.36mm

高度

9.45mm

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 系列提供了大量、全面的 mosfet 器件产品组合、包括 coolmos 、 timos 和 strong irfet 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

产品符合 aec Q101 标准

它具有 175°c 工作温度

100% 雪崩测试