Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 8.4 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, IPS60R800CEAKMA1, CoolMOS CE系列

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包装方式:
RS 库存编号:
214-9103P
制造商零件编号:
IPS60R800CEAKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.4A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-251

系列

CoolMOS CE

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

800mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-40°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17.2nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

74W

最高工作温度

150°C

高度

6.22mm

宽度

2.4 mm

长度

6.73mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon coolmos 是一项革命性的高电压功率功率功率半导体技术、它根据超接线( sj )原理设计、由 Infineon 技术开创。coolmos ce 是一款性价比优化的平台、能够通过仍然符合最高效率标准、针对消费和照明市场中的成本敏感型应用。新系列提供快速切换超级结 mosfet 的所有优点、同时不会降低使用便利性、并提供市场上提供的最佳性价比。

易于使用 / 驱动

非常高的换向坚固性

适用于标准等级应用

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。