Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 6 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 214-9109
- 制造商零件编号:
- IPS80R900P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 管,共 75 件)*
¥480.45
(不含税)
¥542.925
(含税)
有库存
- 1,425 件将从其他地点发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | RMB6.406 | RMB480.45 |
| 150 - 225 | RMB6.214 | RMB466.05 |
| 300 + | RMB6.027 | RMB452.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 214-9109
- 制造商零件编号:
- IPS80R900P7AKMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-251 | |
| 系列 | CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 900mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 宽度 | 2.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-251 | ||
系列 CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 900mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.7mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 6.22mm | ||
宽度 2.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 最新 800V coolmos P7 系列在 800V 超级连接技术方面树立了新的基准,将杰出的性能与最先进的易用性结合起来,这是由英飞凌 18 年来领先的超级连接技术创新所带来的。它们易于驱动和并行、实现更高的功率密度设计、 bom 节省和更低的装配成本。
完全优化的产品组合
集成齐纳二极管 esd 保护
