Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=800 V, Id=6 A, 3针, TO-251, CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:
214-9109
制造商零件编号:
IPS80R900P7AKMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

6A

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

TO-251

系列

CoolMOS P7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

900mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

45W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

150°C

高度

6.22mm

长度

6.7mm

标准/认证

No

宽度

2.35mm

汽车标准

否

the Infineon 最新 800V coolmos P7 系列在 800V 超级连接技术方面树立了新的基准，将杰出的性能与最先进的易用性结合起来，这是由英飞凌 18 年来领先的超级连接技术创新所带来的。它们易于驱动和并行、实现更高的功率密度设计、 bom 节省和更低的装配成本。

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