Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 360 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, StrongIRFET系列

可享批量折扣

小计 200 件 (以卷装提供)*

¥5,228.40

(不含税)

¥5,908.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 2,990 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
200 - 395RMB26.142
400 +RMB24.832

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
214-9123P
制造商零件编号:
IRF40SC240ARMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

360A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

StrongIRFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

0.65mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

417W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

366nC

最高工作温度

150°C

高度

4.4mm

宽度

9.45 mm

标准/认证

No

长度

10.2mm

汽车标准

英飞凌公司最新的 40 v 强大的 irfet 功率 mosfet 器件针对高电流和低 rds (接通)进行了优化,使其成为高电流电池供电应用的理想解决方案。它采用工业标准封装、提供设计灵活性。它能够为嘈杂环境中的假开启提供抗扰性。

它具有 175°c 工作温度

高电流载流量