Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 68 A, DirectFET, 表面安装, 9引脚, AUIRF7648M2TR, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2450
- 制造商零件编号:
- AUIRF7648M2TR
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥130.02
(不含税)
¥146.925
(含税)
有库存
- 另外 270 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 1195 | RMB26.004 | RMB130.02 |
| 1200 - 2395 | RMB25.222 | RMB126.11 |
| 2400 + | RMB24.464 | RMB122.32 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2450
- 制造商零件编号:
- AUIRF7648M2TR
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 DirectFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 汽车 direct场 功率 mosfet 的最大漏极源电压为 60V ，直接 M4 封装内的最大连续漏极电流为 68A 。AUIRF7648M2 将最新的汽车 hex场 ® 功率 mosfet 硅技术与先进 Advanced ® 封装技术相结合，以实现低栅极电荷和最低通态电阻，封装尺寸仅为 so-8 且 0.7 mm 。当在制造方法和工艺方面遵循应用说明 a-1035 时， direct场 ® 封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。direct场 ® 封装允许双面冷却，以最大限度地提高汽车电源系统中的热传递。
先进的工艺技术
经优化可用于汽车电动机驱动器、直流 - 直流和其他大负载应用
低 rds （接通）、可提高效率
重复雪崩能力、确保坚固性和可靠性
无铅、 rohs 和无卤素