Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 522 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, HEXFET系列

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RS Stock No.:
215-2453
Mfr. Part No.:
AUIRFS8409-7TRL
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

522A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

0.75mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

375W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

305nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon 汽车 direct场 功率 mosfet 具有 60V 最大漏极源电压,最大连续漏极电流为 68A ,采用 D2 - pak 7pin 封装。专门设计用于汽车应用、此 hex场 功率 mosfet 利用最新处理技术实现极低导通电阻 par 硅区域。这些设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进重复雪崩额定值。结合此功能、使此产品成为极其高效和可靠的设备、适用于汽车和各种其他应用。

先进的工艺技术

全新超低接通电阻

快速切换

重复雪崩允许高达 Tjmax

无导线