Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 522 A, TO-263, 表面安装, 7引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 215-2453
- 制造商零件编号:
- AUIRFS8409-7TRL
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 800 件）*
¥20,709.60
(不含税)
¥23,401.60
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | RMB25.887 | RMB20,709.60 |
| 4000 + | RMB25.369 | RMB20,295.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2453
- 制造商零件编号:
- AUIRFS8409-7TRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 522A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.75mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 305nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 522A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.75mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 305nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon 汽车 direct场 功率 mosfet 具有 60V 最大漏极源电压，最大连续漏极电流为 68A ，采用 D2 － pak 7pin 封装。专门设计用于汽车应用、此 hex场 功率 mosfet 利用最新处理技术实现极低导通电阻 par 硅区域。这些设计的其他特点包括 175°c 结点工作温度、快速切换速度和改进重复雪崩额定值。结合此功能、使此产品成为极其高效和可靠的设备、适用于汽车和各种其他应用。
先进的工艺技术
全新超低接通电阻
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax
无导线