Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 215-2458
- 制造商零件编号:
- BSC034N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2458
- 制造商零件编号:
- BSC034N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | SuperSO | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 39nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 SuperSO | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 39nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon ® 功率 mosfet 系列采用 SuperSO8 5x6 封装类型，最大漏极源电压为 30V 。超低栅极电荷和输出电荷，以及采用小体积封装的最低通态电阻，使其成为 25V 满足服务器、数据通信和电信应用中稳压器解决方案苛刻要求的最佳选择。通过 30V 改进 emi 行为和延长电池寿命，可根据笔记本电脑的电源管理需求定制优化的优化产品。提供半桥配置（功率级 5x6 ）。
快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
n 通道; 逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
出色的耐热性能