Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 95 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, BSC052N08NS5ATMA1, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
215-2461
制造商零件编号:
BSC052N08NS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

95A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

SuperSO

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.2mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

83W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

32nC

正向电压 Vf

1.1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon OptiMOSTM5Power 晶体管的最大漏极源电压为 80V 、封装类型为 SuperSO8 5x6 。它具有电信服务器、太阳能、低电压驱动器、轻型电动车和适配器等潜在应用。它针对高性能 smp 进行了优化、例如 sync .rec 和卓越的热阻。

经优化可用于同步整流

特别适用于高切换频率

输出电容下降多达 44%

R DS(on) 下降多达 44%