Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 95 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 215-2461P
- 制造商零件编号:
- BSC052N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 215-2461P
- 制造商零件编号:
- BSC052N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 95A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | SuperSO | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 95A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 SuperSO | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon OptiMOSTM5Power 晶体管的最大漏极源电压为 80V 、封装类型为 SuperSO8 5x6 。它具有电信服务器、太阳能、低电压驱动器、轻型电动车和适配器等潜在应用。它针对高性能 smp 进行了优化、例如 sync .rec 和卓越的热阻。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
R DS(on) 下降多达 44%