Infineon , 2 N型沟道 N 沟道 MOSFET 增强型 MOSFET, Vds=25 V, 50 A, 电源块 5x6, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列, BSG0811NDATMA1
- RS 库存编号:
- 215-2467
- 制造商零件编号:
- BSG0811NDATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2467
- 制造商零件编号:
- BSG0811NDATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 50A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 包装类型 | 电源块 5x6 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 6.25W | |
| 正向电压 Vf | 0.84V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 4.5 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | N 沟道 MOSFET | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 标准/认证 | JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 50A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
包装类型 电源块 5x6 | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 6.25W | ||
正向电压 Vf 0.84V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 4.5 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 N 沟道 MOSFET | ||
长度 5.1mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 6.1 mm | ||
标准/认证 JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 5.0x6.0mm² ™ 5 电源块是一种无引线 smd 封装，采用 1 μ m 封装轮廓，包括采用同步降压转换器配置的低侧和高侧 mosfet 。通过使用最佳 mos ™ 5 电源块替换两个独立的离散封装（例如 SO8 或 SuperSO8 ），客户可以将其设计缩减高达 85% 。标准化电源封装使客户受益、因为市场上可用的不同封装轮廓的数量已降至最低。
50A 最大平均负载电流
源低侧 mosfet 、可实现更好的印刷电路板冷却
内部连接低侧和高侧（最低回路电感）
高侧 kelvin 连接、可实现更高效的驱动