Infineon N沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=25 V, Id=50 A, 8针, 电源块 5x6, OptiMOS系列

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RS 库存编号:
215-2467
制造商零件编号:
BSG0811NDATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

25V

包装类型

电源块 5x6

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

3mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

4.5V

最大功耗 Pd

6.25W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.4nC

正向电压 Vf

0.84V

晶体管配置

N 沟道 MOSFET

最高工作温度

150°C

标准/认证

JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21

宽度

6.1mm

高度

1.1mm

长度

5.1mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

否

Infineon OptiMOS 系列 MOSFET，25V 漏源电压，50A 最大连续漏极电流 - BSG0811NDATMA1


该 MOSFET 是一款表面安装 N 通道晶体管，专为紧凑型电源设计中的高电流开关而设计。它采用增强型 N 通道拓扑结构，在单个芯片上包含两个元件，可提供双开关功能。该设备适用于在低压环境中需要逻辑电平栅极和低导通电阻的应用，并采用 5x6 电源块封装，适用于密集型电路板布局。

特性和优点：


• Rds(on) 低至 3mΩ，可减少传导损耗
• 最大连续漏极电流为 50A，可满足高电流需求
• 逻辑电平栅极，Vgs 限制为 4.5V，支持直接驱动兼容
• 典型栅极电荷为 Qg 8.4nC，支持快速栅极转换
• 额定功耗为 6.25W，可有效处理热量
• 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，确保宽泛的耐温性

应用


• 适用于电源的同步降压转换器
• 适用于服务器 VRM 和高电流 DC-DC 模块
• 用于低压系统的电池管理电路
• 可用于紧凑型控制器中的电机驱动级
• 适用于高效配电和负载开关

在 PCB 设计过程中，应考虑哪些热限制？


该设备可在高达 150°C 的结温下运行，功耗高达 6.25W

建议使用热过孔和足够的铜面积以管理热量。

双元件结构对布局选择有何影响？


每个芯片的两个元件提供并行电流路径，可减少单个模具应力，并支持更紧密的布置以实现对称的热分布。

高效开关需要考虑哪些栅极驱动特性？


栅极驱动兼容 4.5V 的最大栅源额定电压和 8.4nC 的低电荷要求，可减少栅极驱动损耗和开关能量。

是否有与选择相关的材料或法规标准？


该组件符合 JEDEC 和 RoHS 标准，采用 IEC61249-2-21 基材制造，表明其满足标准化材料和无铅要求。

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