Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 620 mA, SC-59, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 215-2468
- 制造商零件编号:
- BSR315PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2468
- 制造商零件编号:
- BSR315PH6327XTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 620mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SC-59 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 800mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 0.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 620mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SC-59 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 800mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 0.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ® 小型信号晶体管 p 通道增强模式场效应晶体管（场效应晶体管），具有 20V 最大漏极源电压，采用了采用了第 23 封装类型。英飞凌公司的高度创新的最佳 mos ™系列产品包括 p 沟道功率高的功率半导体器件。这些产品始终满足电源系统设计关键规格中高品质和性能要求、如通态电阻和品质因数特性。BSS84P 是 p 通道增强模式 mosfet 、采用小型表面安装封装、具有卓越的切换性能。此产品特别适用于低电压、低电流应用。
增强型模式
逻辑电平
雪崩等级
快速切换
dv/dt 额定值
无铅引线电镀