Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, PQFN, 表面安装, 8引脚, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 215-2473P
- 制造商零件编号:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2473P
- 制造商零件编号:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 14.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PQFN | ||
系列 OptiMOS | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 14.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the the 英飞凌公司的最佳 mos ™ 5 power emos 逻辑电平非常适合该设备的低栅极电荷（ q g ）可减少切换损耗、而不会影响传导损耗。改进的品质因数允许在高切换频率下操作。此外、逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（ v gs （ the ））、允许将这些电压以 5V 的速度驱动、并直接从微控制器驱动。
低 r ds （ on ）、采用小型封装
低栅极电荷
降低输出电荷
逻辑电平兼容性