Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=37 A, 3针, TO-220, CoolMOS CE系列

RS 库存编号:: 215-2477P
制造商零件编号:: IPA60R080P7XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=500 V, Id=37 A, 3针, TO-220, CoolMOS CE系列

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RS 库存编号:: 215-2477P
制造商零件编号:: IPA60R080P7XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	37A
	最大漏源电压 Vd	500V
	包装类型	TO-220
	系列	CoolMOS CE
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	80mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	29W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	51nC
	正向电压 Vf	0.9V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 37A
	最大漏源电压 Vd 500V
	包装类型 TO-220
	系列 CoolMOS CE
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 80mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 29W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 51nC
	正向电压 Vf 0.9V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - IPA60R080P7XKSA1

Infineon CoolMOS CE 系列 MOSFET，500V 漏源电压，37A 连续漏极电流 - IPA60R080P7XKSA1

这款 N 通道 MOSFET 是一款高压开关晶体管，专为功率转换和控制应用而设计。它可在宽温度范围内可靠工作，并采用适用于常规组装方法的 TO-220 通孔封装。该设备适用于需要稳健漏源电压能力和适度功耗的应用场景。

特性和优点：

• 500V 漏极额定值可为转换器提供优秀的高压容限
• 80mΩ Rds(on) 可在负载期间降低导通损耗
• 37A 连续漏极电流支持强大的输出能力
• 29W 最大功耗允许在应用中维持持续的功率处理
• 51nC 典型栅极电荷可提供可预测的开关能量需求
• 0.9V 正向电压降低了二极管导通过程中的压降

应用

• 适用于离线开关模式电源
• 非常适合高压 DC-DC 转换级
• 用于工业电机驱动前端
• 可用于浪涌电流限制电路
• 适用于实验室设备中的通用电源开关

操作过程中必须遵守哪些栅极电压限制？

该设备允许的栅源电压高达 20V

设计应将栅极驱动保持在此范围内，以防止栅极氧化层应力。

温度如何影响系统中的安全使用？

该组件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，因此热管理应确保结温保持在该范围内，以实现可靠运行。

电路板集成需要哪种安装方式？

它采用 TO-220 通孔封装，适用于带有机械紧固和适当散热片的电路板安装。

设计人员在高压下应预期怎样的开关行为？

典型栅极电荷为 51nC，开关损耗成比例且可预测

驱动器选择必须能承受此电荷，以达到所需的转换速度。