Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=9 A, 3针, TO-220, 600V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2480P
- 制造商零件编号:
- IPA60R360P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- IPA60R360P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | 600V CoolMOS P7 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 360mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大功耗 Pd | 22W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 600V CoolMOS P7 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 360mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
最大功耗 Pd 22W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V CoolMOS P7 系列 MOSFET，600V 漏源电压，9A 连续漏极电流 - IPA60R360P7SXKSA1
这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管，专为苛刻电子系统中的功率转换应用而设计。它可在宽温度范围内工作，专为常规组装流程中的通孔安装而设计，为需要高漏源额定电压和稳健 N 通道增强型设备电路提供了紧凑的解决方案。
特性和优点：
• 600V 漏极容限可支持高压开关应用
• 9A 连续漏极电流支持中等功率负载
• 360mΩ Rds(on) 可降低工作电流下的导通损耗
• 22W 功耗，支持持续的热负载
• 13nC 典型栅极电荷确保高效的驱动要求
• 0.9V 正向电压可最大限度降低二极管传导压差
• 9A 连续漏极电流支持中等功率负载
• 360mΩ Rds(on) 可降低工作电流下的导通损耗
• 22W 功耗，支持持续的热负载
• 13nC 典型栅极电荷确保高效的驱动要求
• 0.9V 正向电压可最大限度降低二极管传导压差
应用
• 适用于工业高压电源
• 非常适合开关模式功率转换拓扑
• 用于逆变器级中的硬‑开关
• 可用于电源侧功率因数校正
• 用于功率模块中带散热片的组件
• 非常适合开关模式功率转换拓扑
• 用于逆变器级中的硬‑开关
• 可用于电源侧功率因数校正
• 用于功率模块中带散热片的组件
它采用什么封装和安装方式？
它采用 TO-220 封装，适用于通孔安装，可提供牢固的机械和热连接。
设计人员必须遵守哪些栅极和热限制？
相对于源极，栅极驱动电压最高可达 20V，且该设备应进行散热，以在其工作温度范围内承受高达 22W 的功耗。
它在运行时能够耐受的温度范围是多少？
它的额定工作温度范围为最低 -55°C 至最高 150°C，适用于各种热环境。
提供哪种导通模式和通道类型？
该组件是一款 N 通道增强型设备，适用于标准晶体管开关拓扑。