Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 10 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPA65R125C7XKSA1, CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 215-2482
- 制造商零件编号:
- IPA65R125C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-2482
- 制造商零件编号:
- IPA65R125C7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | CoolMOS C7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最大功耗 Pd | 32W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 CoolMOS C7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最大功耗 Pd 32W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌公司的 cool mos ™ C7 超结 mosfet 系列是一款革命性的技术进步，提供世界上最低的 rds （接通） / 封装，并得益于其低切换损耗，可在整个负载范围内提高效率。该产品组合提供快速切换超级结点式高电阻器的所有优点、可提供更高的效率、更低的栅极电荷、易于实施和卓越的可靠性。
改进的安全裕度、适用于开关电源和太阳能 变频器应用
最低传导损耗 / 封装
低切换损耗
更好的轻负载效率
提高功率密度