Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 12.5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, 700V CoolMOS P7系列

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RS 库存编号:
215-2488
制造商零件编号:
IPAN70R360P7SXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

12.5A

最大漏源电压 Vd

700V

系列

700V CoolMOS P7

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

360mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

26.5W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16.4nC

正向电压 Vf

0.9V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

Infineon 700V cool mos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级接线技术相比,具有基本的性能提升,可满足低功率的开关电源市场的需求,例如手机充电器或笔记本电脑适配器。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。最新的 coolmos ™ P7 是一款针对消费市场中的成本敏感型应用(如充电器、适配器、照明、电视等)定制的优化平台

由于极低的 fomrds(on) *qg 和 rds(on) *eoss ,损耗极低

极佳的热行为

集成 esd 保护二极管

低切换损耗( eoss )