Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=700 V, 6 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, 700V CoolMOS P7系列
- RS 库存编号:
- 215-2492P
- 制造商零件编号:
- IPAN70R900P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 215-2492P
- 制造商零件编号:
- IPAN70R900P7SXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | 700V CoolMOS P7 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 900mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 17.9W | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 700V CoolMOS P7 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 900mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 17.9W | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 700V cool mos ™ P7 超结 mosfet 系列与当今使用的超级接线技术相比，具有基本的性能提升，可满足低功率的开关电源市场的需求，例如手机充电器或笔记本电脑适配器。该技术符合最高效率标准、并支持高功率密度、使客户可以实现超薄设计。最新的 coolmos ™ P7 是一款针对消费市场中的成本敏感型应用（如充电器、适配器、照明、电视等）定制的优化平台
由于极低的 fomrds(on) *qg 和 rds(on) *eoss ，损耗极低
极佳的热行为
集成 esd 保护二极管
低切换损耗（ eoss ）