Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 11 A, TO-220 FP, 通孔安装, 3引脚, CoolMOS™ P7系列

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包装方式:
RS 库存编号:
215-2494
制造商零件编号:
IPAN80R450P7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

11 A

最大漏源电压

800 V

封装类型

TO-220 FP

系列

CoolMOS™ P7

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

0.45. Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

the Infineon 800V cool mos ™ P7 超结 mosfet 系列可完全满足市场对性能、易用性和性价比的需求,是低功率开关电源应用的理想选择。它主要用于回飞应用、包括适配器和充电器、 led 驱动器、音频开关电源、辅助和工业电源。与之前的产品以及在典型回飞应用中经过测试的竞争产品相比、此新产品系列可提供高达 0.6% 的效率增益和 2°c 至 8°c 的更低 mosfet 温度。它还可通过更低的切换损耗和更好的 dak rds (接通)产品实现更高的功率密度设计。

集成齐纳二极管 esd 保护、高达 2 类( hbm )
杰出的质量和
完全优化的产品组合

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。