Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 80 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, OptiMOS 5 80V系列
- RS 库存编号:
- 215-2496P
- 制造商零件编号:
- IPB049N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IPB049N08N5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 80A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | OptiMOS 5 80V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 49mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 80A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 OptiMOS 5 80V | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 49mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
与前几代产品相比，英飞凌公司的最佳 mos ™ 5 80V 工业功率 mosfet IPB049N08N5 将 rds （接通）降低 43% ，特别适用于高切换频率。此系列设备专门设计用于电信和服务器电源中的同步整流。此外、它们还可用于其他工业应用、如太阳能、低电压驱动器和适配器。
经优化可用于同步整流
特别适用于高切换频率
输出电容下降多达 44%
rds （接通）减少高达 44%