Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 13 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB60R180C7ATMA1, 600V CoolMOS C7系列
- RS 库存编号:
- 215-2498
- 制造商零件编号:
- IPB60R180C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-2498
- 制造商零件编号:
- IPB60R180C7ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | 600V CoolMOS C7 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 180mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大功耗 Pd | 68W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 高度 | 15.88mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 600V CoolMOS C7 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 180mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最大功耗 Pd 68W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.31mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
高度 15.88mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 600V cool mos ™ C7 超接点（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 cool mos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 tco （总拥有成本）应用，如超数据中心和高效电信整流器 (96%)>，得益于 cool mos ™ C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益，在 LLC 中实现 0.1% 的增益。例如，对于 2.5kw 服务器 psu ，使用采用 to-247 4pin 封装的 600V cool mos ™ C7 sj 型功率半导体器件， psu 能量损耗可降低 ∼10% 的能耗。
减小开关损耗参数，如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS（接通）
增加切换频率
全球最佳的 R（接通）*A
坚固的体二极管