Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 27 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD33CN10NGATMA1, OptiMOS 2系列
- RS 库存编号:
- 215-2506P
- 制造商零件编号:
- IPD33CN10NGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 215-2506P
- 制造商零件编号:
- IPD33CN10NGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 27A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | OptiMOS 2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 58W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 27A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 OptiMOS 2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 58W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
the the the the the the the the the the the the 英飞凌公司的 100V 最佳 mos ™功率式功率半导体器件为高效、高功率密度的开关电源提供了卓越的解决方案。与性能最接近本产品的次优技术相比，此系列可使 R DS(on) 和 FOM（品质因数）降低 30%。
N 通道，正常电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅引线电镀
符合目标应用的 JEDEC 规格
特别适用于高频切换和同步整流